超高导热:氮化铝材质导热达 180~220W/m・K,是 DBC(氧化铝基底,20~30W/m・K)的 6~10 倍,可快速导出 IGBT/MOSFET 芯片热量,结温降低 10~15℃,提升功率密度与续航里程。
低热膨胀匹配:热膨胀系数(4~5ppm/℃)与硅 / 碳化硅(SiC)芯片高度匹配,减少热应力,抑制翘曲,提升焊点可靠性,延长模块寿命至 10 万小时以上。
高绝缘耐压:陶瓷本体绝缘,耐压≥10kV/mm,可承受 800V 高压系统冲击,避免击穿与漏电,提升整车安全性。
高密度集成:多层结构可内嵌电源层、地层、信号层、屏蔽层,实现功率回路与控制回路分离,减少寄生电感,提升开关频率与能效,同时缩小模块体积 30%~50%。
电机控制器(MCU):核心功率模块采用多层陶瓷板,支持 SiC MOSFET 高频化(200kHz+),能效提升 5%~8%,续航增加 20~30km。
车载充电机(OBC):高压整流与逆变模块使用多层陶瓷板,提升充电功率(11kW→22kW→48kW),缩短充电时间。
DC/DC 转换器:高压转低压(400V→12V)模块采用多层陶瓷板,提升转换效率至 95% 以上,减少能耗损失。


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